Principio sensor Hall es: si el conductor situado en el campo magnético se aplica un voltaje, la dirección de la campo magnético perpendicular a la dirección de la tensión aplicada, tanto en el campo magnético perpendicular y perpendicular a la dirección de la dirección corriente aplicada producirá otro como la relación entre la intensidad del campo magnético y de tensión. El campo magnético se puede determinar mediante la detección de la magnitud de este valor de la tensión imanes.
En otras circunstancias, el conductor de los dispositivos de Hall puede elegir diferentes materiales: la necesidad de considerar el costo de los dispositivos de uso común Salón de tipo n de fabricación de silicio, a altas temperaturas. En la necesidad de utilizar la fabricación de material de GaAs; InAs, InSb, y otros materiales semiconductores con características de alta movilidad de electrones, lo que les hace con que el silicio dispositivos Hall son generalmente 10 ~ 20 kHz mayor sensibilidad y capacidad de respuesta de frecuencia, y normalmente se utiliza en la fabricación alta sensibilidad y respuesta de frecuencia de los dispositivos de Hall. Además fabrica de imanes, ya que el sensor Hall es normalmente utilizarse integrado con otras estructuras de semiconductores, el material del dispositivo Hall y la compatibilidad de semiconductores sustrato es muy importante.